FQPF3N80C |AMI Semiconductor / ON Semiconductor |Ariat-Tech इलेक्ट्रॉनिक्स घटक वितरक

Electronics Components Distributor

FQPF3N80C
भाग संख्या	FQPF3N80C
उत्पादक	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
उपलब्ध मात्रा	18500 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें
ईसीएडी मॉडल
डाटा शीट	FQPF3N80C.pdf
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FQPF3N80C की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क	FQPF3N80C	वर्ग	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
उत्पादक	AMI Semiconductor / ON Semiconductor	विवरण	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
पैकेज / केस	Tube	उपलब्ध मात्रा	18500 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA	वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220F
शृंखला	QFET®	आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	39W (Tc)	पैकेजिंग	Tube
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3 Full Pack	परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम	28 Weeks	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	705pF @ 25V	गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	16.5nC @ 10V
FET प्रकार	N-Channel	FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	800V
विस्तृत विवरण	N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F	वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)
डाउनलोड	FQPF3N80C PDF - EN.pdf

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FQPF3N80C घटक	FQPF3N80C इन्वेंटरी	एएए ० दिगाइकी
आपूर्तिकर्ता FQPF3N80C	आदेश FQPF3N80C ऑनलाइन	पूछताछ FQPF3N80C
FQPF3N80C छवि	FQPF3N80C पिक्चर	FQPF3N80C पीडीएफ
FQPF3N80C डेटशीट	FQPF3N80C डेटशीट डाउनलोड करें	निर्माता

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