NSVMMUN2212LT1G |AMI Semiconductor / ON Semiconductor |Ariat-Tech इलेक्ट्रॉनिक्स घटक वितरक

Electronics Components Distributor

NSVMMUN2212LT1G
भाग संख्या	NSVMMUN2212LT1G
उत्पादक	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
उपलब्ध मात्रा	3061 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें
ईसीएडी मॉडल
डाटा शीट	NSVMMUN2212LT1G.pdf
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NSVMMUN2212LT1G की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क	NSVMMUN2212LT1G	वर्ग	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
उत्पादक	AMI Semiconductor / ON Semiconductor	विवरण	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
पैकेज / केस	Tape & Reel (TR)	उपलब्ध मात्रा	3061 pcs
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)	50V	Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी	250mV @ 300µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार	NPN - Pre-Biased	प्रदायक डिवाइस पैकेज	SOT-23-3 (TO-236)
शृंखला	-	प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)	22 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)	22 kOhms	पावर - मैक्स	246mW
पैकेजिंग	Tape & Reel (TR)	पैकेज / प्रकरण	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
दुसरे नाम	NSVMMUN2212LT1G-ND NSVMMUN2212LT1GOSTR	माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)	निर्माता मानक लीड टाइम	24 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant	विस्तृत विवरण	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce	60 @ 5mA, 10V	वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)	500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)	100mA
डाउनलोड	NSVMMUN2212LT1G PDF - EN.pdf

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आपूर्तिकर्ता NSVMMUN2212LT1G	आदेश NSVMMUN2212LT1G ऑनलाइन	पूछताछ NSVMMUN2212LT1G
NSVMMUN2212LT1G छवि	NSVMMUN2212LT1G पिक्चर	NSVMMUN2212LT1G पीडीएफ
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