| SIA810DJ-T1-E3 | |
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| भाग संख्या | SIA810DJ-T1-E3 |
| उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| विवरण | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
| उपलब्ध मात्रा | 2567 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें |
| ईसीएडी मॉडल | |
| डाटा शीट | |
| SIA810DJ-T1-E3 Price |
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| SIA810DJ-T1-E3 की तकनीकी जानकारी | |||
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| उत्पादक हिस्सा करमार्क | SIA810DJ-T1-E3 | वर्ग | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद |
| उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay | विवरण | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
| पैकेज / केस | Tape & Reel (TR) | उपलब्ध मात्रा | 2567 pcs |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1V @ 250µA | वीजीएस (मैक्स) | ±8V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | प्रदायक डिवाइस पैकेज | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| शृंखला | LITTLE FOOT® | आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) | पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | PowerPAK® SC-70-6 Dual | दुसरे नाम | SIA810DJ-T1-E3TR |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 400pF @ 10V | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 11.5nC @ 8V |
| FET प्रकार | N-Channel | FET फ़ीचर | Schottky Diode (Isolated) |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.8V, 4.5V | स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual | वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4.5A (Tc) |
| डाउनलोड | SIA810DJ-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
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| SIA810DJ-T1-E3 स्टॉक | SIA810DJ-T1-E3 मूल्य | SIA810DJ-T1-E3 इलेक्ट्रॉनिक्स |
| SIA810DJ-T1-E3 घटक | SIA810DJ-T1-E3 इन्वेंटरी | एएए ० दिगाइकी |
| आपूर्तिकर्ता SIA810DJ-T1-E3 | आदेश SIA810DJ-T1-E3 ऑनलाइन | पूछताछ SIA810DJ-T1-E3 |
| SIA810DJ-T1-E3 छवि | SIA810DJ-T1-E3 पिक्चर | SIA810DJ-T1-E3 पीडीएफ |
| SIA810DJ-T1-E3 डेटशीट | SIA810DJ-T1-E3 डेटशीट डाउनलोड करें | निर्माता Electro-Films (EFI) / Vishay |
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