IXTK120N25P
भाग संख्या IXTK120N25P
उत्पादक IXYS Corporation
विवरण MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
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IXTK120N25P की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क IXTK120N25P वर्ग असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
उत्पादक IXYS Corporation विवरण MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
पैकेज / केस TO-264 उपलब्ध मात्रा 2050 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 500µA वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264 (IXTK)
शृंखला PolarHT™ आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 24 mOhm @ 60A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 700W (Tc) पैकेजिंग Tube
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 8000pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 185nC @ 10V FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर - ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250V वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc)
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