फूजी इलेक्ट्रिक 2MBI1000VXB-170E-54 IGBT मॉड्यूल खरीदने से पहले मार्गदर्शन करें
2025-04-03 193

2MBI1000VXB-170E-54 फ़ूजी इलेक्ट्रिक से एक उच्च-प्रदर्शन IGBT मॉड्यूल है, जिसे मोटर ड्राइव, इनवर्टर और यूपीएस सिस्टम जैसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह उच्च वर्तमान हैंडलिंग के साथ तेजी से स्विचिंग को जोड़ती है, जिससे यह औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।1700V वोल्टेज रेटिंग और 1000A वर्तमान क्षमता के साथ, यह मॉड्यूल विश्वसनीय और कुशल प्रदर्शन प्रदान करता है।यह लेख थोक में गुणवत्ता वाले घटकों की तलाश में सभी के लिए इसकी विशेषताओं, लाभों और कमियों का अवलोकन देता है।

सूची

2MBI1000VXB-170E-54 विवरण

2MBI1000VXB-170E-54 फूजी इलेक्ट्रिक द्वारा निर्मित एक IGBT मॉड्यूल है, जिसे उच्च दक्षता वाले पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह उच्च-वर्तमान हैंडलिंग और द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के कम-संतृप्ति वोल्टेज के साथ MOSFET की तेजी से स्विचिंग क्षमताओं को जोड़ती है।

ये विशेषताएं इसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स सिस्टम की एक श्रृंखला में उपयोग के लिए आदर्श बनाती हैं जहां कुशल और विश्वसनीय स्विचिंग की आवश्यकता होती है।1700V की वोल्टेज रेटिंग और अनुप्रयोगों की मांग के लिए उपयुक्त वर्तमान क्षमताओं के साथ, यह IGBT मॉड्यूल आमतौर पर औद्योगिक प्रणालियों जैसे कि मोटर ड्राइव, पावर इनवर्टर और निर्बाध बिजली आपूर्ति (यूपीएस) में उपयोग किया जाता है।

इसका मजबूत डिजाइन उच्च प्रदर्शन वाले वातावरण में स्थायित्व सुनिश्चित करता है, औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीयता और दक्षता दोनों की पेशकश करता है।यदि आप उच्च गुणवत्ता वाले घटकों के साथ अपने संचालन को अनुकूलित करना चाहते हैं, तो अपनी व्यावसायिक आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए आज थोक में 2MBI1000VXB-170E-54 खरीदने पर विचार करें!

2MBI1000VXB-170E-54 सुविधाएँ

• उच्च गति स्विचिंग - मॉड्यूल जल्दी से चालू और बंद कर सकता है, जिससे यह उन प्रणालियों के लिए आदर्श हो जाता है, जिन्हें मोटर्स और बिजली की आपूर्ति की तरह तेज, सटीक नियंत्रण की आवश्यकता होती है।

• वोल्टेज ड्राइव - यह उन प्रणालियों के साथ अच्छी तरह से काम करता है जो एक स्थिर वोल्टेज का उपयोग करते हैं, जिससे इसे एकीकृत करना आसान हो जाता है और अधिक विश्वसनीय होता है।

• कम इंडक्शन मॉड्यूल संरचना - डिजाइन बिजली के नुकसान को कम करता है और दक्षता में सुधार करता है, जिससे यह उन प्रणालियों के लिए उपयुक्त हो जाता है जिन्हें तेजी से वर्तमान परिवर्तनों की आवश्यकता होती है।

2MBI1000VXB-170E-54 सर्किट आरेख

2MBI1000VXB-170E-54 सर्किट आरेख में दो मुख्य खंड होते हैं: पलटनेवाला और यह thermistor।इन्वर्टर सेक्शन में मुख्य C1 (9), (11), मुख्य C2E1 (8), Sense C1 (5), Sense C2E1 (3), G1 (4), G2 (1), और सेंस E2 (2) जैसे घटक शामिल हैं।ये घटक डीसी को एसी पावर में बदलने और स्थिर संचालन सुनिश्चित करने के लिए एक साथ काम करते हैं।

"सेंस" घटक इन्वर्टर के प्रदर्शन की निगरानी करते हैं, जबकि G1 और G2 स्विचिंग उपकरणों को नियंत्रित करने के लिए गेट ड्राइवरों के रूप में काम करते हैं।मुख्य C1 और C2E1 कैपेसिटर हैं जो वोल्टेज को स्थिर करने और ऊर्जा को स्टोर करने में मदद करते हैं।Th1 (7) और Th2 (6) के रूप में लेबल किए गए थर्मिस्टर सेक्शन का उपयोग सर्किट के तापमान की निगरानी के लिए किया जाता है।यदि तापमान सुरक्षित सीमा से अधिक है, तो ये थर्मिस्टर्स सुरक्षात्मक उपायों को सक्रिय करने में मदद करते हैं, यह सुनिश्चित करना कि सिस्टम सुरक्षित थर्मल सीमा के भीतर संचालित हो।साथ में, ये घटक मॉड्यूल के कुशल और सुरक्षित संचालन को सुनिश्चित करते हैं।

2MBI1000VXB-170E-54 अधिकतम रेटिंग

नोट *1: सभी टर्मिनलों को परीक्षण के दौरान एक साथ जोड़ा जाना चाहिए।

नोट *2: दो थर्मिस्टर टर्मिनलों को एक साथ जोड़ा जाना चाहिए, अन्य टर्मिनलों को एक साथ जोड़ा जाना चाहिए और परीक्षण के दौरान बेस प्लेट से छोटा होना चाहिए।

नोट *3: सिफारिश योग्य मूल्य: बढ़ते 3.0 ~ 6.0nm (M5)

सिफारिश योग्य मूल्य: मुख्य टर्मिनल 8.0 ~ 10.0nm (M8)

सिफारिश योग्य मूल्य: सेंस टर्मिनल 1.8 ~ 2.1nm (M4)

2MBI1000VXB-170E-54 विद्युत विशेषताएं

नोट *1: कृपया पृष्ठ 7 का संदर्भ लें, टर्मिनल पर ऑन-स्टेट वोल्टेज की परिभाषा है।

2MBI1000VXB-170E-54 थर्मल प्रतिरोध विशेषताओं

नोट *5: यह वह मान है जिसे थर्मल कंपाउंड के साथ अतिरिक्त कूलिंग फिन पर बढ़ते हुए परिभाषित किया गया है।

2MBI1000VXB-170E-54 प्रदर्शन घटता

छवि 2MBI1000VXB-170E-54 IGBT मॉड्यूल के लिए प्रदर्शन घटता दिखाती है, जो के बीच संबंध को प्रदर्शित करता है कलेक्टर करंट (मैं_सी) और कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (वी।_सीटी) अलग-अलग गेट-एमिटर वोल्टेज पर (वी।_जीई) दो अलग -अलग जंक्शन तापमान के लिए: 25 ° C (बाएं) और 150 डिग्री सेल्सियस (दाएं)।

25 डिग्री सेल्सियस के जंक्शन तापमान पर, घटता दिखाता है कि कलेक्टर वर्तमान उच्च गेट-एमिटर वोल्टेज के साथ बढ़ता है, विशेष रूप से के लिए वी_जीई = 20v, जहां मॉड्यूल अपनी अधिकतम वर्तमान क्षमता प्राप्त करता है।मॉड्यूल कम वीसीई मूल्यों को चालू करना शुरू कर देता है और कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज बढ़ने के साथ एक विशेषता संतृप्ति क्षेत्र दिखाता है।उच्च गेट वोल्टेज के परिणामस्वरूप उच्च कलेक्टर धाराएं होती हैं, लेकिन प्रभाव कम होने लगता है क्योंकि वीसीई एक निश्चित सीमा से ऊपर उठता है।

150 डिग्री सेल्सियस के उच्च जंक्शन तापमान पर, वक्र शिफ्ट, सभी में एक कम कलेक्टर वर्तमान दिखाते हुए दिखाते हैं वी_सीटी 25 ° C मामले की तुलना में मान।यह अर्धचालक उपकरणों का एक विशिष्ट व्यवहार है, क्योंकि प्रदर्शन बढ़ते तापमान के साथ गिरावट आती है।संतृप्ति प्रभाव अभी भी दिखाई दे रहा है, लेकिन वर्तमान कम है, यह दर्शाता है कि थर्मल प्रभाव डिवाइस की क्षमता को आचरण करने की क्षमता को सीमित कर रहे हैं।

में पहला ग्राफ (बाएं), कलेक्टर करंट (मैं_सी) कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज के खिलाफ प्लॉट किया गया है (वी।_सीटी) तीन अलग -अलग तापमानों पर: 25 डिग्री सेल्सियस, 125 डिग्री सेल्सियस, और 150 डिग्री सेल्सियस।पिछले घटता के साथ, हम देखते हैं कि कलेक्टर वर्तमान उच्च के साथ बढ़ता है वी_सीटी कब वी_जीई 15V पर तय किया गया है।उच्च तापमान पर, अधिकतम कलेक्टर वर्तमान कम हो जाता है, जो थर्मल प्रभावों के कारण मॉड्यूल के प्रदर्शन में गिरावट का संकेत देता है।

दूसरा ग्राफ (दाएं) दिखाया कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज का v ariat आयन (वी।_सीटी) गेट-एमिटर वोल्टेज के साथ (वी।_जीई) तीन अलग -अलग कलेक्टर वर्तमान स्तरों (500A, 1000A, और 2000a) पर।25 डिग्री सेल्सियस के निरंतर जंक्शन तापमान पर, वी_सीटी के रूप में बूंद वी_जीई बढ़ता है, विशेष रूप से उच्च वर्तमान स्तरों पर।यह IGBTS के विशिष्ट व्यवहार को इंगित करता है, जहां एक उच्च गेट वोल्टेज डिवाइस की वर्तमान को संचालित करने की क्षमता को बढ़ाता है, उसी वर्तमान के लिए VCE ड्रॉप को कम करता है।

बचा हुआ ग्राफ गेट कैपेसिटेंस और कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है (वी।_सीटी) 25 डिग्री सेल्सियस पर 2MBI1000VXB-170E-54।यह इनपुट कैपेसिटेंस को प्लॉट करता है (सी_{आईईएस}), आउटपुट कैपेसिटेंस (सी_{ओ इ एस}), और रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (सी_{आर ई}) VCE के कार्यों के रूप में।जैसा वी_सीटी बढ़ता है, दोनों सी_{ओ इ एस} और सी_{आर ई} कमी, जबकि सी_{आईईएस} अपेक्षाकृत स्थिर रहता है।यह व्यवहार IGBTs के लिए विशिष्ट है, जहां उच्च वोल्टेज पर कम आउटपुट और रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस स्विचिंग गति में सुधार करने और स्विचिंग लॉस को कम करने में मदद करते हैं, जो उच्च दक्षता वाले इन्वर्टर अनुप्रयोगों के लिए आवश्यक है।

सही ग्राफ स्विचिंग शर्तों के तहत गतिशील गेट चार्ज विशेषताओं को दिखाता है (वी।_{प्रतिलिपि}= 900V, मैं_सी= 1000 ए, टी_जे= 25 ° C)।यह दिखाता है कि गेट-एमिटर वोल्टेज कैसे (वी।_जीई) और कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (वी।_सीटी) संचित गेट चार्ज के साथ भिन्न (क्यू_जी)।वक्र टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ इवेंट्स के दौरान गेट चार्ज आवश्यकताओं को प्रकट करता है। वी_जीई वक्र एक पठार क्षेत्र दिखाता है जहां अधिकांश गेट चार्ज मिलर प्रभाव में सेवन किया जाता है, जो सीधे स्विचिंग गति को प्रभावित करता है।कम कुल गेट चार्ज कम ड्राइव लॉस के साथ तेजी से स्विचिंग प्राप्त करने के लिए अनुकूल है, जिससे उचित गेट ड्राइवर का चयन करते समय यह पैरामीटर आवश्यक हो जाता है।

2MBI1000VXB-170E-54 विकल्प

2MBI1000VXB-170E-54 और FF1000R17IE4 के बीच तुलना

2MBI1000VXB-170E-54 फायदे और नुकसान

2MBI1000VXB-170E-54 के लाभ

• उच्च दक्षता - 2MBI1000VXB-170E-54 को कम स्विचिंग और चालन हानि के साथ ऊर्जा हानि को कम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिससे यह पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए आदर्श है जो उच्च दक्षता की मांग करता है।

• विश्वसनीय प्रदर्शन - यह औद्योगिक और नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों में लगातार प्रदर्शन करता है, कठोर परिस्थितियों में भी लंबे समय तक चलने वाले स्थायित्व की पेशकश करता है।

• कॉम्पैक्ट आकार - इसका छोटा रूप कारक अंतरिक्ष को बचाता है, जिससे बहुत अधिक कमरे के बिना विभिन्न प्रणालियों में एकीकृत करना आसान हो जाता है।

• उच्च वर्तमान क्षमता - वर्तमान के 1000A तक संभालने में सक्षम, यह मॉड्यूल मोटर ड्राइव और इनवर्टर जैसे उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही है।

• प्रभावी गर्मी प्रबंधन - मॉड्यूल का कम थर्मल प्रतिरोध बेहतर गर्मी अपव्यय सुनिश्चित करता है, जिससे इसे उच्च तापमान पर कुशलता से संचालित करने की अनुमति मिलती है।

• बहुमुखी अनुप्रयोग - इसका उपयोग उद्योगों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जा सकता है, जिसमें मोटर नियंत्रण, वेल्डिंग मशीन और यूपीएस सिस्टम शामिल हैं, जिससे यह अत्यधिक अनुकूलनीय हो जाता है।

2MBI1000VXB-170E-54 के नुकसान

• सीमित वोल्टेज रेटिंग - 1700V रेटिंग के साथ, यह उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त नहीं हो सकता है जिनके लिए उच्च वोल्टेज की आवश्यकता होती है, बहुत उच्च-वोल्टेज सिस्टम में इसके उपयोग को सीमित करते हैं।

• कूलिंग की जरूरत है - यद्यपि इसमें अच्छा थर्मल प्रबंधन है, फिर भी इसके लिए उन्नत शीतलन (जैसे मजबूर हवा या पानी कूलिंग) की आवश्यकता होती है, जो सिस्टम में जटिलता और लागत जोड़ता है।

• उच्च -शक्ति प्रणालियों के लिए आकार - कॉम्पैक्ट करते समय, मॉड्यूल का आकार अभी भी उन प्रणालियों में एक दोष हो सकता है जिसमें और भी अधिक शक्ति की आवश्यकता होती है या तंग स्थानों में जहां नए, अधिक उन्नत मॉड्यूल बेहतर रूप से फिट हो सकते हैं।

• उच्च प्रारंभिक लागत - एक उच्च-प्रदर्शन मॉड्यूल के रूप में, 2MBI1000VXB-170E-54 एक उच्च लागत पर आता है, जिससे यह बजट-संवेदनशील अनुप्रयोगों के लिए कम उपयुक्त हो जाता है।

• सीमित स्विचिंग आवृत्ति - यह मानक स्विचिंग आवृत्तियों पर अच्छी तरह से काम करता है, लेकिन उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए, इसकी दक्षता विशेष रूप से उच्च गति स्विचिंग के लिए डिज़ाइन किए गए नए मॉड्यूल के पीछे हो सकती है।

2MBI1000VXB-170E-54 अनुप्रयोग

• मोटर ड्राइव के लिए इन्वर्टर - यह मॉड्यूल डीसी को सुचारू रूप से एसी पावर में बदलकर मोटर्स को नियंत्रित करने में मदद करता है।यह मोटर्स को प्रशंसकों, पंपों और कन्वेयर जैसी मशीनों में कुशलता से चलाता है।

• एसी और डीसी सर्वो ड्राइव एम्पलीफायर - इसका उपयोग सर्वो सिस्टम में मोटर्स की स्थिति और गति को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।यह रोबोट, सीएनसी मशीनों और स्वचालित उपकरणों को सटीक रूप से काम करने में मदद करता है।

• निर्बाध बिजली की आपूर्ति (यूपीएस) - मॉड्यूल ब्लैकआउट के दौरान स्थिर शक्ति प्रदान करता है।यह कंप्यूटर, अस्पतालों और कारखानों जैसे आवश्यक उपकरणों को बिना रुके चलाता रहता है।

• औद्योगिक मशीनें (वेल्डिंग मशीन) - यह वेल्डर जैसी मशीनों के लिए बहुत अच्छा है, जहां मजबूत और स्थिर धाराओं की आवश्यकता होती है।यह उत्पादन के दौरान स्वच्छ और विश्वसनीय वेल्ड बनाने में मदद करता है।

2MBI1000VXB-170E-54 पैकेजिंग आयाम

2MBI1000VXB-170E-54 की पैकेजिंग रूपरेखा मॉड्यूल के लिए विस्तृत यांत्रिक आयाम और बढ़ते दिशानिर्देशों को दर्शाती है।मॉड्यूल की कुल लंबाई 250 मिमी, 89.4 मिमी की चौड़ाई और 38.4 मिमी की ऊंचाई है, जो इसे उच्च-शक्ति और अंतरिक्ष-कुशल प्रतिष्ठानों के लिए उपयुक्त बनाता है।लेआउट में उचित संरेखण और सुरक्षित स्थापना सुनिश्चित करने के लिए कई बढ़ते छेद, टर्मिनल पद और लेबल क्षेत्र शामिल हैं।

मॉड्यूल विधानसभा के दौरान क्षति को रोकने के लिए विशिष्ट पेंच गहराई (16 मिमी और 8 मिमी तक) के साथ बिजली और नियंत्रण टर्मिनलों के लिए M8 और M4 शिकंजा का उपयोग करता है।बेसप्लेट छेद की स्थिति सहिष्णुता स्पष्ट रूप से निर्दिष्ट की जाती है ताकि हमें हीटसिंक पर सटीक प्लेसमेंट प्राप्त करने में मदद मिल सके।मॉड्यूल का विशिष्ट वजन लगभग 1250 ग्राम है, जो इसकी शक्ति-हैंडलिंग क्षमता के लिए उचित है।यह यांत्रिक डिजाइन औद्योगिक और बिजली इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम में आसान बढ़ते, अच्छे थर्मल संपर्क और विश्वसनीय विद्युत कनेक्शन सुनिश्चित करता है।

2MBI1000VXB-170E-54 निर्माता

2MBI1000VXB-170E-54 एक IGBT मॉड्यूल है जो फ़ूजी इलेक्ट्रिक द्वारा निर्मित है, जो पावर सेमीकंडक्टर टेक्नोलॉजी में एक वैश्विक नेता है।1923 में स्थापित, फ़ूजी इलेक्ट्रिक ऊर्जा, औद्योगिक स्वचालन और परिवहन जैसे उद्योगों में उन्नत बिजली समाधान प्रदान करने में माहिर हैं।

निष्कर्ष

अंत में, फ़ूजी इलेक्ट्रिक द्वारा 2MBI1000VXB-170E-54 IGBT मॉड्यूल विभिन्न औद्योगिक क्षेत्रों में उत्कृष्ट दक्षता, मजबूत प्रदर्शन और बहुमुखी अनुप्रयोग प्रदान करता है।यदि आप थोक में विश्वसनीय, उच्च-प्रदर्शन वाले घटकों की तलाश कर रहे हैं, तो 2MBI1000VXB-170E-54 पावर इलेक्ट्रॉनिक्स समाधानों के लिए एक ठोस विकल्प के रूप में खड़ा है जो दीर्घकालिक विश्वसनीयता और दक्षता की मांग करते हैं।

डाटशीट पीडीएफ

2MBI1000VXB-170E-54 डेटशीट