| BSZ013NE2LS5IATMA1 | |
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| भाग संख्या | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
| उत्पादक | Infineon Technologies |
| विवरण | MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON |
| उपलब्ध मात्रा | 2530 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें |
| ईसीएडी मॉडल | |
| डाटा शीट | 1.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf2.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf3.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf4.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 Price |
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| BSZ013NE2LS5IATMA1 की तकनीकी जानकारी | |||
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| उत्पादक हिस्सा करमार्क | BSZ013NE2LS5IATMA1 | वर्ग | |
| उत्पादक | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | विवरण | MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON |
| पैकेज / केस | PG-TSDSON-8-FL | उपलब्ध मात्रा | 2530 pcs |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 250µA | वीजीएस (मैक्स) | ±16V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | प्रदायक डिवाइस पैकेज | PG-TSDSON-8-FL |
| शृंखला | OptiMOS™ | आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1.3mOhm @ 20A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | पैकेज / प्रकरण | 8-PowerTDFN |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3400 pF @ 12 V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 50 nC @ 10 V | FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - | ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 25 V | वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| आधार उत्पाद संख्या | BSZ013 | ||
| डाउनलोड | BSZ013NE2LS5IATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| BSZ013NE2LS5IATMA1 स्टॉक | BSZ013NE2LS5IATMA1 मूल्य | BSZ013NE2LS5IATMA1 इलेक्ट्रॉनिक्स |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 घटक | BSZ013NE2LS5IATMA1 इन्वेंटरी | एएए ० दिगाइकी |
| आपूर्तिकर्ता BSZ013NE2LS5IATMA1 | आदेश BSZ013NE2LS5IATMA1 ऑनलाइन | पूछताछ BSZ013NE2LS5IATMA1 |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 छवि | BSZ013NE2LS5IATMA1 पिक्चर | BSZ013NE2LS5IATMA1 पीडीएफ |
| BSZ013NE2LS5IATMA1 डेटशीट | BSZ013NE2LS5IATMA1 डेटशीट डाउनलोड करें | निर्माता Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
