IPD65R420CFDBTMA1 की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क IPD65R420CFDBTMA1 वर्ग  
उत्पादक Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) विवरण MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
पैकेज / केस PG-TO252-3 उपलब्ध मात्रा 2631 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 340µA वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO252-3
शृंखला CoolMOS™ आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 420mOhm @ 3.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 83.3W (Tc) पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
पैकेट Tape & Reel (TR) परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 870 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 32 nC @ 10 V FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर - ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.7A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या IPD65R  
डाउनलोडIPD65R420CFDBTMA1 PDF - EN.pdf
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