2SK3868(Q,M)
भाग संख्या 2SK3868(Q,M)
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
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2SK3868(Q,M) की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क 2SK3868(Q,M) वर्ग  
उत्पादक TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) विवरण MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
पैकेज / केस TO-220SIS उपलब्ध मात्रा 2652 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA वीजीएस (मैक्स) ±30V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220SIS
शृंखला - आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 35W (Tc) पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack
पैकेट Bulk परिचालन तापमान 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 16 nC @ 10 V FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर - ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या 2SK3868  
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