SSM3J120TU,LF
भाग संख्या SSM3J120TU,LF
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण MOSFET P-CH 20V 4A UFM
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SSM3J120TU,LF की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क SSM3J120TU,LF वर्ग  
उत्पादक TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) विवरण MOSFET P-CH 20V 4A UFM
पैकेज / केस UFM उपलब्ध मात्रा 2693 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 1mA वीजीएस (मैक्स) ±8V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) प्रदायक डिवाइस पैकेज UFM
शृंखला U-MOSIV आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 38mOhm @ 3A, 4V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 500mW (Ta) पैकेज / प्रकरण 3-SMD, Flat Leads
पैकेट Tape & Reel (TR) परिचालन तापमान 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1484 pF @ 10 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 22.3 nC @ 4 V FET प्रकार P-Channel
FET फ़ीचर - ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या SSM3J120  
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