| IRFBC30PBF | |
|---|---|
| भाग संख्या | IRFBC30PBF |
| उत्पादक | Vishay Siliconix |
| विवरण | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB |
| उपलब्ध मात्रा | 6031 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें |
| ईसीएडी मॉडल | |
| डाटा शीट | 1.IRFBC30PBF.pdf2.IRFBC30PBF.pdf3.IRFBC30PBF.pdf |
| IRFBC30PBF Price |
अनुरोध मूल्य और लीड समय ऑनलाइन or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IRFBC30PBF की तकनीकी जानकारी | |||
|---|---|---|---|
| उत्पादक हिस्सा करमार्क | IRFBC30PBF | वर्ग | |
| उत्पादक | Vishay / Siliconix | विवरण | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB |
| पैकेज / केस | TO-220AB | उपलब्ध मात्रा | 6031 pcs |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA | वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB |
| शृंखला | - | आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 74W (Tc) | पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
| पैकेट | Tube | परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 660 pF @ 25 V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 31 nC @ 10 V | FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - | ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 600 V | वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3.6A (Tc) |
| आधार उत्पाद संख्या | IRFBC30 | ||
| डाउनलोड | IRFBC30PBF PDF - EN.pdf | ||
हमें ईमेल करें: Info@Ariat-Tech.com या RFQ IRFBC30PBF ऑनलाइन।
| IRFBC30PBF स्टॉक | IRFBC30PBF मूल्य | IRFBC30PBF इलेक्ट्रॉनिक्स | |||
| IRFBC30PBF घटक | IRFBC30PBF इन्वेंटरी | एएए ० दिगाइकी | |||
| आपूर्तिकर्ता IRFBC30PBF | आदेश IRFBC30PBF ऑनलाइन | पूछताछ IRFBC30PBF | |||
| IRFBC30PBF छवि | IRFBC30PBF पिक्चर | IRFBC30PBF पीडीएफ | |||
| IRFBC30PBF डेटशीट | IRFBC30PBF डेटशीट डाउनलोड करें | निर्माता Vishay / Siliconix | |||
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| छवि | भाग संख्या | विवरण | उत्पादक | एक कहावत कहना | |
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IRFBC30STRR | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | Vishay Siliconix | ||
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