SI7430DP-T1-GE3
भाग संख्या SI7430DP-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix
विवरण MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
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SI7430DP-T1-GE3 की तकनीकी जानकारी
उत्पादक हिस्सा करमार्क SI7430DP-T1-GE3 वर्ग  
उत्पादक Vishay / Siliconix विवरण MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
पैकेज / केस PowerPAK® SO-8 उपलब्ध मात्रा 8500 pcs
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA वीजीएस (मैक्स) ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® SO-8
शृंखला - आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 5.2W (Ta), 64W (Tc) पैकेज / प्रकरण PowerPAK® SO-8
पैकेट Tape & Reel (TR) परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1735 pF @ 50 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 43 nC @ 10 V FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर - ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 8V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 26A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या SI7430  
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