| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| भाग संख्या | SIR470DP-T1-GE3 |
| उत्पादक | Vishay Siliconix |
| विवरण | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| उपलब्ध मात्रा | 31246 pcs new original in stock. स्टॉक और कोटेशन का अनुरोध करें |
| ईसीएडी मॉडल | |
| डाटा शीट | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
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| SIR470DP-T1-GE3 की तकनीकी जानकारी | |||
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| उत्पादक हिस्सा करमार्क | SIR470DP-T1-GE3 | वर्ग | |
| उत्पादक | Vishay / Siliconix | विवरण | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| पैकेज / केस | PowerPAK® SO-8 | उपलब्ध मात्रा | 31246 pcs |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA | वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | प्रदायक डिवाइस पैकेज | PowerPAK® SO-8 |
| शृंखला | TrenchFET® | आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | पैकेज / प्रकरण | PowerPAK® SO-8 |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 5660 pF @ 20 V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 155 nC @ 10 V | FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - | ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 40 V | वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 60A (Tc) |
| आधार उत्पाद संख्या | SIR470 | ||
| डाउनलोड | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SIR470DP-T1-GE3 स्टॉक | SIR470DP-T1-GE3 मूल्य | SIR470DP-T1-GE3 इलेक्ट्रॉनिक्स |
| SIR470DP-T1-GE3 घटक | SIR470DP-T1-GE3 इन्वेंटरी | एएए ० दिगाइकी |
| आपूर्तिकर्ता SIR470DP-T1-GE3 | आदेश SIR470DP-T1-GE3 ऑनलाइन | पूछताछ SIR470DP-T1-GE3 |
| SIR470DP-T1-GE3 छवि | SIR470DP-T1-GE3 पिक्चर | SIR470DP-T1-GE3 पीडीएफ |
| SIR470DP-T1-GE3 डेटशीट | SIR470DP-T1-GE3 डेटशीट डाउनलोड करें | निर्माता Vishay / Siliconix |
